Το MU3261-122Y είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MU3261-122Y, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MU3261-122Y μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MU3261-122Y με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MU3261-122Y
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MU3261-122Y
- Κατασκευαστής:
- Bourns, Inc.
- Περιγραφή:
- FERRITE BEAD 1.2 KOHM 1206 1LN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25574 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MU3261-122Y.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | MU |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός Γραμμών: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Σύνθετη αντίσταση @ Συχνότητα: | 1.2 kOhms @ 100MHz |
| Ύψος (Max): | 0.051" (1.30mm) |
| Τύπος φίλτρου: | Power, Signal Line |
| Αντίσταση DC (DCR) (Μέγ.): | 500 mOhm |
| Κάρτα Πάχος (mm): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MU3261-122Y
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MU3261-101Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 100 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-202Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 2 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-471Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 470 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
BLA2ABD221SN4D | Murata Electronics | FERRITE BEAD 220 OHM 0804 4LN | Έρευνα |
|
MU3261-750Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 75 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
MPZ1005AFZ300VT000 | TDK Corporation | FERRITE BEAD 30 OHM 0402 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-801Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 800 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-121Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 120 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-152Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 1.5 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-102Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 1 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-601Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 600 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
FBR07UA850SB-00 | Taiyo Yuden | FERRITE BEAD | Έρευνα |
 |
BMB2A0150PN2 | AMP Connectors / TE Connectivity | FERRITE BEAD 150 OHM 0805 1LN | Έρευνα |
|
BLA31AG600SN4D | Murata Electronics | FERRITE BEAD 60 OHM 1206 4LN | Έρευνα |
|
MU3261-221Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 220 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-300Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 30 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
MU3K000/3K000BBL | Vishay Precision Group | MU3K000/3K000BBL | Έρευνα |
|
MU3261-600Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 60 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
PE-01005FB121STA | Pulse Electronics Corporation | FERRITE BEAD 120 OHM 01005 1LN | Έρευνα |
|
MU3261-301Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 300 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο