Το MLZ2012M3R3HT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MLZ2012M3R3HT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MLZ2012M3R3HT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MLZ2012M3R3HT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MLZ2012M3R3HT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MLZ2012M3R3HT
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 3.3UH 500MA 260 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44741 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MLZ2012M3R3HT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Multilayer |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 0805 (2012 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | MLZ |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 0805 (2012 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 2MHz |
| Επαγωγή: | 3.3µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.049" (1.25mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 500mA 260 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 260 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 500mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MLZ2012M3R3HT
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MLZ2012M220WT000 | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 220MA 2 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLZ2012M1R5HT000 | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 700MA 140 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M4R7WT000 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 500MA 390 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M1R0HTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 800MA 130 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLZ2012M470WT000 | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 170MA 3.7 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLZ2012M4R7WTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 500MA 390 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M4R7HT000 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 400MA 340 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M3R3HT000 | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 500MA 200 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M1R5HTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 700MA 182 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M220WTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 220MA 2.6 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLZ2012M330WTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 190MA 3.38 OHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M2R2HTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 600MA 208 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M4R7HTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 400MA 442 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M1R5HT | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 700MA 182 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M330WT000 | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 190MA 2.6 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLZ2012M6R8HT | TDK Corporation | FIXED IND 6.8UH 350MA 520 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M2R2HT000 | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 600MA 160 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M6R8HT000 | TDK Corporation | FIXED IND 6.8UH 350MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M470WTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 170MA 4.81 OHM | Έρευνα |
|
MLZ2012M3R3HTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 500MA 260 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;