Το M55342H09B4E02RT5 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M55342H09B4E02RT5, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M55342H09B4E02RT5 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M55342H09B4E02RT5 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M55342H09B4E02RT5
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M55342H09B4E02RT5
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 4.02K OHM 1% 1W 2512
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58010 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M55342H09B4E02RT5.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | R (0.01%) |
| Τάσης - Εργασίας: | 1W |
| Τάσης - Ανάλυση: | 2512 |
| Πάχος (Max): | ±50ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 2512 (6432 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | M55342H09B4E02RT5-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | M55342H09B4E02RT5 |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 4.02k Ohm ±1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±1% |
| Περιγραφή: | RES SMD 4.02K OHM 1% 1W 2512 |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Thin Film |
| εύρος ζώνης: | 4.02k |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M55342H09B4E02RT5
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC