Το L6385D013TR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την L6385D013TR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το L6385D013TR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε L6385D013TR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
L6385D013TR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- L6385D013TR
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 29947 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- L6385D013TR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 17V (Max) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SO |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 50ns, 30ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 497-3650-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 1.5V, 3.6V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Τύπος εισόδου: | Inverting |
| Υψηλής Τάσης Side - Max (Bootstrap): | 600V |
| Τύπος πύλης: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Half-Bridge |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 8-SO |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 400mA, 650mA |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Independent |
| Αριθμός μέρους βάσης: | L6385 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για L6385D013TR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
L6386E | STMicroelectronics | IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-DIP | Έρευνα |
|
L6386AD | STMicroelectronics | IC DRIVER HV HI/LOW SIDE SOIC-14 | Έρευνα |
 |
L6384ED | STMicroelectronics | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-SOIC | Έρευνα |
|
L6384ED013TR | STMicroelectronics | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8SOIC | Έρευνα |
|
L6386D | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC | Έρευνα |
|
L6386ADTR | STMicroelectronics | IC DRIVER HV HI/LOW SIDE SOIC-14 | Έρευνα |
|
L6385D | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC | Έρευνα |
|
L6386ED | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC | Έρευνα |
|
L6384D013TR | STMicroelectronics | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8SOIC | Έρευνα |
|
L6385E | STMicroelectronics | IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-DIP | Έρευνα |
|
L6384 | STMicroelectronics | IC DRVR HALF BRIDGE HV 8MINIDIP | Έρευνα |
|
L6384E | STMicroelectronics | IC DRVR HALF BRIDGE HV 8-DIP | Έρευνα |
|
L6384D | STMicroelectronics | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-SOIC | Έρευνα |
|
L6385 | STMicroelectronics | IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8MINIDIP | Έρευνα |
|
L6386 | STMicroelectronics | IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-DIP | Έρευνα |
|
L6382D5TR | STMicroelectronics | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 20SOIC | Έρευνα |
|
L6385ED | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC | Έρευνα |
|
L6382DTR | STMicroelectronics | IC PWR MAGMNT MCU BALLAST SOIC20 | Έρευνα |
|
L6386D013TR | STMicroelectronics | IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC | Έρευνα |
|
L6385ED013TR | STMicroelectronics | IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών