Το JANTXV1N6492 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N6492, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N6492 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N6492 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N6492
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N6492
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 33684 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N6492.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 3.6A |
| Τάσης - Ανάλυση: | TO-205AF (TO-39) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/567 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | 450pF @ 5V, 1MHz |
| Πόλωση: | TO-205AF Metal Can |
| Άλλα ονόματα: | 1086-15583-MIL |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JANTXV1N6492 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Schottky 45V 3.6A Through Hole TO-205AF (TO-39) |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 2mA @ 45V |
| Περιγραφή: | DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 560mV @ 2A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 45V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N6492
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTXV1N649-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6485 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6491US | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTXV1N645-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6620U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6488 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6392 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6485US | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6490US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6620 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6621 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N647-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.2A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6490 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6621U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS