Το JANTXV1N6490US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N6490US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N6490US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N6490US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N6490US
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N6490US
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35384 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N6490US.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Zener (Nom) (Vz): | 5.1V |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.5V @ 1A |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D-5A |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/406 |
| Ισχύς - Max: | 1.5W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SQ-MELF, A |
| Αλλα ονόματα: | 1086-15994 1086-15994-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Σύνθετη αντίσταση (Max) (Zzt): | 7 Ohms |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N6490US
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6391 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N649-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6392 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6620U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6490 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6492 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.2A D5A | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6491US | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N647-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6620 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6485 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6488 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6621U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
 |
JANTXV1N645-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6485US | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6621 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6351US | Microsemi | ZENER DIODE | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU