Το JANSR2N7389U είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANSR2N7389U, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANSR2N7389U μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANSR2N7389U με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANSR2N7389U
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANSR2N7389U
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- P CHANNEL MOSFET LCC-18
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50936 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANSR2N7389U.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/630 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 6.5A, 12V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 25W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 18-CLCC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 45nC @ 12V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 12V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANSR2N7389U
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANSR2N7261U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET LCC-18 | Έρευνα |
|
JANSR2N7262U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET LCC-18 | Έρευνα |
|
JANSR2N7269U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | Έρευνα |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Έρευνα |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Έρευνα |
|
JANSR2N5153 | Microsemi | RH POWER BJT | Έρευνα |
|
JANSR2N5153U3 | Microsemi | RH POWER BJT | Έρευνα |
|
JANSR2N7380 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | Έρευνα |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Έρευνα |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Έρευνα |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Έρευνα |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTX1N1186R | Microsemi | SILICON RECTIFIER | Έρευνα |
|
JANSR2N7269 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-254 | Έρευνα |
|
JANSR2N7381 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | Έρευνα |
|
JANSR2N7268U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | Έρευνα |
|
JANTX1N1186 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Έρευνα |
|
JANSR2N7389 | Microsemi | P CHANNEL MOSFET TO-39 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών