Το JAN1N6624U είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N6624U, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N6624U μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N6624U με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N6624U
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N6624U
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45137 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N6624U.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1A |
| Τάσης - Ανάλυση: | D-5A |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | SQ-MELF, A |
| Άλλα ονόματα: | 1086-19970 1086-19970-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 30ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JAN1N6624U |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 900V 1A Surface Mount D-5A |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 500nA @ 900V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.55V @ 1A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 900V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N6624U
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Έρευνα |
 |
JAN1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6621 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N6625 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N6624 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JAN1N6622US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N6623 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6621U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 2A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών