Το JAN1N4623UR-1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N4623UR-1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N4623UR-1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N4623UR-1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N4623UR-1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N4623UR-1
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58481 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N4623UR-1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Απομόνωση: | 1600 Ohm |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-213AA |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Ισχύς - Max: | 500mW |
| Πόλωση: | DO-213AA |
| Άλλα ονόματα: | 1086-18397 1086-18397-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JAN1N4623UR-1 |
| Σύνθετη αντίσταση (Max) (Zzt): | 4.3V |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±5% |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 2µA @ 2V |
| Περιγραφή: | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N4623UR-1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4625-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | Έρευνα |
 |
JAN1N4622CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4622DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4623C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4624D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4622D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4625CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4624C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4625D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4622-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4624DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4624-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4625C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4622C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4624UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4623DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4622UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4624CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4623CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4623-1 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών