Το JAN1N4618CUR-1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N4618CUR-1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N4618CUR-1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N4618CUR-1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N4618CUR-1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N4618CUR-1
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49178 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N4618CUR-1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Απομόνωση: | 1500 Ohm |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-213AA |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Ισχύς - Max: | 500mW |
| Πόλωση: | DO-213AA |
| Άλλα ονόματα: | 1086-18312 1086-18312-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JAN1N4618CUR-1 |
| Σύνθετη αντίσταση (Max) (Zzt): | 2.7V |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Zener Diode 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±2% |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 500nA @ 1V |
| Περιγραφή: | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N4618CUR-1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4618DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4619CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO213AA | Έρευνα |
 |
JAN1N4618-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4617CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4619-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4616UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4620-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4617C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4617D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4617DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4616D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4616DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4619D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4619UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4617UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4618UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4618C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4618D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4619C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4619DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO213AA | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών