JAN1N4618CUR-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N4618CUR-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N4618CUR-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N4618CUR-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N4618CUR-1
- رقم القطعة:
- JAN1N4618CUR-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 49178 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N4618CUR-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 1500 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-213AA |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| الاستقطاب: | DO-213AA |
| اسماء اخرى: | 1086-18312 1086-18312-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N4618CUR-1 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 2.7V |
| وصف موسع: | Zener Diode 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±2% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 500nA @ 1V |
| وصف: | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N4618CUR-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4618DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4619CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N4618-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4617CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4619-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4616UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4620-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4617C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4617D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4617DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4616D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4616DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4619D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4619UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4617UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4618UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4618C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4618D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4619C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4619DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.0V 500MW DO213AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل