Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTQ200N075T
IXTQ200N075T
IXTQ200N075T
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTQ200N075T
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
35182 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTQ200N075T.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTQ200N075T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTQ200N075T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTQ200N075T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTQ200N075T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-3P
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):430W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-3P-3, SC-65-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:160nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):75V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 75V 200A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTQ200N075T

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTQ16N50P Image IXTQ16N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P Έρευνα
IXTQ200N10T Image IXTQ200N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P Έρευνα
IXTQ230N085T Image IXTQ230N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P Έρευνα
IXTQ180N10T Image IXTQ180N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P Έρευνα
IXTQ26N50P Image IXTQ26N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P Έρευνα
IXTQ170N10P Image IXTQ170N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P Έρευνα
IXTQ200N085T Image IXTQ200N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P Έρευνα
IXTQ220N075T Image IXTQ220N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P Έρευνα
IXTQ160N10T Image IXTQ160N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P Έρευνα
IXTQ160N085T Image IXTQ160N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P Έρευνα
IXTQ250N075T Image IXTQ250N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P Έρευνα
IXTQ180N085T Image IXTQ180N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P Έρευνα
IXTQ200N06P Image IXTQ200N06P IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P Έρευνα
IXTQ240N055T Image IXTQ240N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P Έρευνα
IXTQ18N60P Image IXTQ18N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P Έρευνα
IXTQ182N055T Image IXTQ182N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P Έρευνα
IXTQ180N055T Image IXTQ180N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P Έρευνα
IXTQ22N50P Image IXTQ22N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Έρευνα
IXTQ220N055T Image IXTQ220N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P Έρευνα
IXTQ22N60P Image IXTQ22N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P Έρευνα

Latest Ειδήσεις