Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTP32N20T
IXTP32N20T
IXTP32N20T
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP32N20T
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
27575 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTP32N20T.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTP32N20T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTP32N20T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTP32N20T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTP32N20T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220AB
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:72 mOhm @ 16A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):200W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1760pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:38nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):200V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 200V 32A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTP32N20T

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTP2N80 Image IXTP2N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 Έρευνα
IXTP36N30P Image IXTP36N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 Έρευνα
IXTP2N100P Image IXTP2N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220 Έρευνα
IXTP36N20T Image IXTP36N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 36A TO-220 Έρευνα
IXTP36N30T Image IXTP36N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 Έρευνα
IXTP32P20T Image IXTP32P20T IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 32A TO-220 Έρευνα
IXTP2N65X2 Image IXTP2N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220 Έρευνα
IXTP300N04T2 Image IXTP300N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 Έρευνα
IXTP2R4N120P Image IXTP2R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 Έρευνα
IXTP2N60P Image IXTP2N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 Έρευνα
IXTP32N65X Image IXTP32N65X IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 Έρευνα
IXTP32P05T Image IXTP32P05T IXYS Corporation MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 Έρευνα
IXTP28P065T Image IXTP28P065T IXYS Corporation MOSFET P-CH 65V 28A TO-220 Έρευνα
IXTP340N04T4 Image IXTP340N04T4 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 340A Έρευνα
IXTP2N80P Image IXTP2N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 Έρευνα
IXTP2N100 Image IXTP2N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB Έρευνα
IXTP32N65XM Image IXTP32N65XM IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 14A TO-220 Έρευνα
IXTP36P15P Image IXTP36P15P IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 36A TO-220 Έρευνα
IXTP2R4N50P Image IXTP2R4N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 Έρευνα
IXTP34N65X2 Image IXTP34N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα

Latest Ειδήσεις