Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP1R6N50D2
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
53659 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTP1R6N50D2.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTP1R6N50D2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTP1R6N50D2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTP1R6N50D2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTP1R6N50D2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220AB
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Έκλυση ενέργειας (Max):100W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:645pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:23.7nC @ 5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:Depletion Mode
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):500V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTP1R6N50D2

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTP1N100 Image IXTP1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB Έρευνα
IXTP220N04T2 Image IXTP220N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 220A TO-220 Έρευνα
IXTP20N65XM Image IXTP20N65XM IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 9A TO-220 Έρευνα
IXTP200N075T Image IXTP200N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-220 Έρευνα
IXTP1N80 Image IXTP1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB Έρευνα
IXTP1R6N50P Image IXTP1R6N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 Έρευνα
IXTP220N055T Image IXTP220N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 220A TO-220 Έρευνα
IXTP1R6N100D2 Image IXTP1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB Έρευνα
IXTP220N075T Image IXTP220N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 Έρευνα
IXTP1N120P Image IXTP1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220 Έρευνα
IXTP1R4N120P Image IXTP1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 Έρευνα
IXTP200N055T2 Image IXTP200N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 200A TO-220 Έρευνα
IXTP1R4N100P Image IXTP1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220 Έρευνα
IXTP20N65X Image IXTP20N65X IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 20A TO-220 Έρευνα
IXTP1R4N60P Image IXTP1R4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 Έρευνα
IXTP1N100P Image IXTP1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220 Έρευνα
IXTP18P10T Image IXTP18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-220 Έρευνα
IXTP200N085T Image IXTP200N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 Έρευνα
IXTP1N80P Image IXTP1N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 1A TO-220 Έρευνα
IXTP230N04T4 Image IXTP230N04T4 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα

Latest Ειδήσεις