Το IXFV96N15P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFV96N15P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFV96N15P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFV96N15P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFV96N15P
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFV96N15P
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41315 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFV96N15P.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PLUS220 |
| Σειρά: | PolarHT™ HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 500mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 480W (Tc) |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3, Short Tab |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 3500pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 150V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 150V 96A (Tc) 480W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 96A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFV96N15P
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFV52N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFV30N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFV96N15PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S | Έρευνα |
|
IXFV30N60PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD | Έρευνα |
 |
IXFX120N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 120A TO-247 | Έρευνα |
|
IXFX120N25P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 | Έρευνα |
 |
IXFV30N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV96N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220 | Έρευνα |
|
IXFX100N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFV74N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV74N20PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S | Έρευνα |
|
IXFX120N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFV36N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFX100N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX120N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX120N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFV36N50PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD | Έρευνα |
|
IXFX120N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFV30N50PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD | Έρευνα |
|
IXFV52N30PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220-S | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών