Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT80N10Q
IXFT80N10Q
IXFT80N10Q
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT80N10Q
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
41223 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT80N10Q.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT80N10Q είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT80N10Q, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT80N10Q μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT80N10Q με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):360W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:180nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT80N10Q

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT88N30P Image IXFT88N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 88A TO268 Έρευνα
IXFT80N20Q Image IXFT80N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 Έρευνα
IXFT80N65X2HV IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFT96N20P Image IXFT96N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 Έρευνα
IXFT80N30P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 Έρευνα
IXFT94N30T Image IXFT94N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 Έρευνα
IXFT74N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH TO268 Έρευνα
IXFT80N15Q Image IXFT80N15Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 Έρευνα
IXFT6N100F Image IXFT6N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 Έρευνα
IXFT70N15 Image IXFT70N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 Έρευνα
IXFT70N30Q3 Image IXFT70N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 70A TO-268 Έρευνα
IXFT94N30P3 Image IXFT94N30P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 Έρευνα
IXFT80N085 Image IXFT80N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 Έρευνα
IXFT74N20 Image IXFT74N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 Έρευνα
IXFT86N30T Image IXFT86N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 86A TO268 Έρευνα
IXFT6N100Q Image IXFT6N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 Έρευνα
IXFT80N08 Image IXFT80N08 IXYS Corporation MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 Έρευνα
IXFT70N20Q3 Image IXFT70N20Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 Έρευνα
IXFT88N28P IXYS Corporation MOSFET N-CH 280V 88A TO268 Έρευνα
IXFT7N90Q Image IXFT7N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 7A TO-268 Έρευνα

Latest Ειδήσεις