Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT16N120P
IXFT16N120P
IXFT16N120P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT16N120P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
44661 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT16N120P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT16N120P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT16N120P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT16N120P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT16N120P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):660W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:120nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1200V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1200V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT16N120P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT18N100Q3 Image IXFT18N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 Έρευνα
IXFT1874 TR IXYS Corporation MOSFET N-CH TO268 Έρευνα
IXFT20N60Q Image IXFT20N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 Έρευνα
IXFT15N80Q Image IXFT15N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 Έρευνα
IXFT180N20X3HV Image IXFT180N20X3HV IXYS Corporation 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT170N25X3HV Image IXFT170N25X3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV Έρευνα
IXFT14N100 Image IXFT14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 Έρευνα
IXFT150N20T Image IXFT150N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 Έρευνα
IXFT16N90Q Image IXFT16N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 Έρευνα
IXFT150N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFT15N100Q Image IXFT15N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 Έρευνα
IXFT17N80Q Image IXFT17N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) Έρευνα
IXFT16N80P Image IXFT16N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 Έρευνα
IXFT15N100Q3 Image IXFT15N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 Έρευνα
IXFT150N25X3HV Image IXFT150N25X3HV IXYS Corporation 250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT150N30X3HV Image IXFT150N30X3HV IXYS Corporation 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT20N100P Image IXFT20N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 Έρευνα
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 Έρευνα
IXFT140N20X3HV Image IXFT140N20X3HV IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT18N90P Image IXFT18N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 18A TO268 Έρευνα

Latest Ειδήσεις