Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFH12N100P
IXFH12N100P
IXFH12N100P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH12N100P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
56803 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFH12N100P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFH12N100P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFH12N100P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFH12N100P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFH12N100P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247AD (IXFH)
Σειρά:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):463W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4080pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:80nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 12A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFH12N100P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFH13N50 Image IXFH13N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD Έρευνα
IXFH12N80P Image IXFH12N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Έρευνα
IXFH110N15T2 Image IXFH110N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 Έρευνα
IXFH120N30X3 Image IXFH120N30X3 IXYS Corporation 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFH110N25T Image IXFH110N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 Έρευνα
IXFH12N120 Image IXFH12N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Έρευνα
IXFH120N20P Image IXFH120N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A TO-247 Έρευνα
IXFH120N15P Image IXFH120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-247 Έρευνα
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD Έρευνα
IXFH120N25X3 Image IXFH120N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO247 Έρευνα
IXFH12N100F Image IXFH12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Έρευνα
IXFH11N80 Image IXFH11N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD Έρευνα
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Έρευνα
IXFH130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD Έρευνα
IXFH13N100 Image IXFH13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 Έρευνα
IXFH120N25T Image IXFH120N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 Έρευνα
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 Έρευνα
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 Έρευνα
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις