Το IXFC13N50 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFC13N50, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFC13N50 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFC13N50 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFC13N50
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFC13N50
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34839 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFC13N50.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | ISOPLUS220™ |
| Σειρά: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 140W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | ISOPLUS220™ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 500V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 500V 12A (Tc) 140W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFC13N50
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFC14N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC10N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFB82N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 | Έρευνα |
|
IXFC110N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC20N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC14N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC12N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFB82N60Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 | Έρευνα |
 |
IXFC26N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC16N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFC16N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC22N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFB72N55Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 | Έρευνα |
|
IXFC24N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFB80N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 | Έρευνα |
|
IXFB70N60Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 | Έρευνα |
|
IXFC24N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC15N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFB62N80Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 | Έρευνα |
|
IXFB90N85X | IXYS Corporation | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS