Το IXDI502D1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXDI502D1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXDI502D1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXDI502D1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXDI502D1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXDI502D1
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- IC GATE DRIVER DUAL 2A 6-DFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 36002 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXDI502D1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 30 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-DFN (4x5) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 7.5ns, 6.5ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Inverting |
| Τύπος πύλης: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Low-Side |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 6-DFN (4x5) |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 2A, 2A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Independent |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IXD*502 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXDI502D1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDI409YI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDI414SI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 14-SOIC | Έρευνα |
|
IXDI414CI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 | Έρευνα |
|
IXDI502PI | IXYS Corporation | IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDI430CI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDI504SIA | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDI504SIAT/R | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDI502SIAT/R | IXYS Corporation | IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC | Έρευνα |
|
IXDI504D1 | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 4A 6-DFN | Έρευνα |
|
IXDI430MCI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDI414YI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDI504D1T/R | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 4A 6-DFN | Έρευνα |
|
IXDI502SIA | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 2A 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDI430YI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDI414PI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDI504PI | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDI430MYI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDI509D1 | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN | Έρευνα |
 |
IXDI502D1T/R | IXYS Corporation | IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 6-DFN | Έρευνα |
|
IXDI409SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα