Το ISC1812RQ4R7K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ISC1812RQ4R7K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ISC1812RQ4R7K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ISC1812RQ4R7K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ISC1812RQ4R7K
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ISC1812RQ4R7K
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 4.7UH 336MA 620 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 23027 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ISC1812RQ4R7K.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±10% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1812 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | ISC-1812 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 30 @ 7.96MHz |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1812 (4532 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Iron Powder |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 7.96MHz |
| Επαγωγή: | 4.7µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 50MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 336mA 620 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 620 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 336mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ISC1812RQ4R7K
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1812RQ471J | Dale / Vishay | FIXED IND 470UH 87MA 9.2 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ3R3J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 357MA 550 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ5R6J | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 333MA 690 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ680K | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 164MA 2.6 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ561K | Dale / Vishay | FIXED IND 560UH 82MA 10.5 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ680J | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 164MA 2.6 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ681J | Dale / Vishay | FIXED IND 680UH 76MA 12 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ560K | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 173MA 2.34 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ3R9K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 344MA 590 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ4R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 336MA 620 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ681K | Dale / Vishay | FIXED IND 680UH 76MA 12 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ3R9J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 344MA 590 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ470K | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 183MA 2.1 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ391K | Dale / Vishay | FIXED IND 390UH 92MA 8.2 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ561J | Dale / Vishay | FIXED IND 560UH 82MA 10.5 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ470J | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 183MA 2.1 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ560J | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 173MA 2.34 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ471K | Dale / Vishay | FIXED IND 470UH 87MA 9.2 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812RQ5R6K | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 333MA 690 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812RQ3R3K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 357MA 550 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών