Το ISC1812EBR82K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ISC1812EBR82K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ISC1812EBR82K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ISC1812EBR82K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ISC1812EBR82K
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ISC1812EBR82K
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 820NH 271MA 950 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26065 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ISC1812EBR82K.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±10% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1812 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | ISC-1812 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 30 @ 25.2MHz |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1812 (4532 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Non-Magnetic |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 25.2MHz |
| Επαγωγή: | 820nH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 165MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 820nH Shielded Wirewound Inductor 271mA 950 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 950 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 271mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ISC1812EBR82K
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1812EBR68J | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 296MA 800 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER102J | Dale / Vishay | FIXED IND 1MH 66MA 16 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR56K | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 306MA 750 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER121J | Dale / Vishay | FIXED IND 120UH 139MA 3.64 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER102K | Dale / Vishay | FIXED IND 1MH 66MA 16 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR33K | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER101J | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 147MA 3.25 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR47J | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 342MA 600 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR47K | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 342MA 600 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR82M | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 271MA 950 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR27K | Dale / Vishay | FIXED IND 270NH SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR39K | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 394MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER101K | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 147MA 3.25 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER100J | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 279MA 900 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR33J | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER100K | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 279MA 900 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR68K | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 296MA 800 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812ER120K | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 265MA 1 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812ER120J | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 265MA 1 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR82J | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 271MA 950 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;