Το ISC1812EBR10M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ISC1812EBR10M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ISC1812EBR10M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ISC1812EBR10M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ISC1812EBR10M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ISC1812EBR10M
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 100NH 552MA 230 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45064 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ISC1812EBR10M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1812 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | ISC-1812 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 30 @ 25.2MHz |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1812 (4532 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Non-Magnetic |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 25.2MHz |
| Επαγωγή: | 100nH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 460MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 100nH Shielded Wirewound Inductor 552mA 230 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 230 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 552mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ISC1812EBR10M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1812EBR10K | Dale / Vishay | FIXED IND 100NH 552MA 230 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB8R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 8.2UH 292MA 820 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB820J | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 156MA 2.86 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR39K | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 394MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB6R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 306MA 750 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR33J | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB680K | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 164MA 2.6 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR33K | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 418MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR47J | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 342MA 600 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR27K | Dale / Vishay | FIXED IND 270NH SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR22M | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 441MA 360 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR15K | Dale / Vishay | FIXED IND 150NH 491MA 290 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB681K | Dale / Vishay | FIXED IND 680UH 76MA 12 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EB821J | Dale / Vishay | FIXED IND 820UH 72MA 13.5 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB821K | Dale / Vishay | FIXED IND 820UH 72MA 13.5 OHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR18K | Dale / Vishay | FIXED IND 180NH 468MA 320 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB681J | Dale / Vishay | FIXED IND 680UH 76MA 12 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1812EBR22K | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 441MA 360 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EBR12K | Dale / Vishay | FIXED IND 120NH 519MA 260 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1812EB820K | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 156MA 2.86 OHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU