Το IRF6613TR1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IRF6613TR1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IRF6613TR1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IRF6613TR1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IRF6613TR1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IRF6613TR1
- Κατασκευαστής:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34983 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IRF6613TR1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 5950pF @ 15V |
| Τάσης - Ανάλυση: | DIRECTFET™ MT |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.4 mOhm @ 23A, 10V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | HEXFET® |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23A (Ta), 150A (Tc) |
| Πόλωση: | DirectFET™ Isometric MT |
| Άλλα ονόματα: | IRF6613 IRF6613-ND SP001528856 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | IRF6613TR1 |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 63nC @ 4.5V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 2.25V @ 250µA |
| FET Χαρακτηριστικό: | N-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | N-Channel 40V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IRF6613TR1
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών