Το IMC1812EBR33J είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IMC1812EBR33J, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IMC1812EBR33J μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IMC1812EBR33J με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IMC1812EBR33J
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IMC1812EBR33J
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 330NH 430MA 550 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52764 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IMC1812EBR33J.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1812 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| θωράκιση: | Unshielded |
| Σειρά: | IMC-1812 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 30 @ 25.2MHz |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1812 (4532 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Non-Magnetic |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 25.2MHz |
| Επαγωγή: | 330nH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 250MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 550 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 430mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IMC1812EBR33J
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IMC1812EBR12M | Dale / Vishay | FIXED IND 120NH 450MA 300 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR33K | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 430MA 550 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR27M | Dale / Vishay | FIXED IND 270NH 450MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR22K | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 450MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR27K | Dale / Vishay | FIXED IND 270NH 450MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR47K | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 355MA 800 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR39M | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 380MA 700 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR22J | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 450MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR68K | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 270MA 1.4 OHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR56J | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 285MA 1.2 OHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR27J | Dale / Vishay | FIXED IND 270NH 450MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR47J | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 355MA 800 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR22M | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 450MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR39J | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 380MA 700 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR18M | Dale / Vishay | FIXED IND 180NH 450MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR68J | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 270MA 1.4 OHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR56K | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 285MA 1.2 OHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR15K | Dale / Vishay | FIXED IND 150NH 450MA 300 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR15M | Dale / Vishay | FIXED IND 150NH 450MA 300 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1812EBR33M | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 430MA 550 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό