Το IMC1210EB150J είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IMC1210EB150J, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IMC1210EB150J μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IMC1210EB150J με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IMC1210EB150J
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IMC1210EB150J
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 15UH 164MA 2.8 OHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42511 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IMC1210EB150J.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1210 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| θωράκιση: | Unshielded |
| Σειρά: | IMC-1210 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 30 @ 2.52MHz |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1210 (3225 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Iron Powder |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 2.52MHz |
| Επαγωγή: | 15µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.095" (2.41mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 21MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 164mA 2.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 2.8 Ohm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 164mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IMC1210EB150J
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IMC1210EB15NM | Dale / Vishay | FIXED IND 15NH 661MA 160 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1210EB151J | Dale / Vishay | FIXED IND 150UH 65MA 15 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB180J | Dale / Vishay | FIXED IND 18UH 151MA 3.3 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB120J | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 173MA 2.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB180K | Dale / Vishay | FIXED IND 18UH 151MA 3.3 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB100K | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 189MA 2.1 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB101K | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 73MA 14 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB150K | Dale / Vishay | FIXED IND 15UH 164MA 2.8 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB121K | Dale / Vishay | FIXED IND 120UH 70MA 11 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB120K | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 173MA 2.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB10NK | Dale / Vishay | FIXED IND 10NH 734MA 130 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1210EB181K | Dale / Vishay | FIXED IND 180UH 60MA 17 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB15NK | Dale / Vishay | FIXED IND 15NH 661MA 160 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1210EB181J | Dale / Vishay | FIXED IND 180UH 60MA 17 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB151K | Dale / Vishay | FIXED IND 150UH 65MA 15 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB18NK | Dale / Vishay | FIXED IND 18NH 624MA 180 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1210EB101J | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 73MA 14 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB12NK | Dale / Vishay | FIXED IND 120NH 707MA 140 MOHM | Έρευνα |
|
IMC1210EB121J | Dale / Vishay | FIXED IND 120UH 70MA 11 OHM SMD | Έρευνα |
|
IMC1210EB10NM | Dale / Vishay | FIXED IND 10NH 734MA 130 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών