Το IL610-3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IL610-3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IL610-3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IL610-3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IL610-3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IL610-3
- Κατασκευαστής:
- NVE Corporation
- Περιγραφή:
- DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 36692 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IL610-3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 3 V ~ 5.5 V |
| Τάσης - Απομόνωση: | 2500Vrms |
| Τύπος: | General Purpose |
| Τεχνολογία: | GMR (Giant Magnetoresistive) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SOIC |
| Σειρά: | IsoLoop® |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 2ns, 2ns |
| Παλμική παράλυση παραμόρφωσης (Max): | 10ns |
| Καθυστέρηση διάδοσης tpLH / tpHL (Max): | 25ns, 25ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 390-1021-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός καναλιών: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Απομονωμένη ισχύς: | No |
| Είσοδοι - Side 1 / Side 2: | 1/0 |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 1 Channel 40Mbps 15kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ρυθμός δεδομένων: | 40Mbps |
| Κοινή λειτουργία παροδική ανοσία (Min): | 15kV/µs |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IL610-3
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IL611-1 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | Έρευνα |
 |
IL610-3TR7 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
 |
IL610-2E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP | Έρευνα |
|
IL610-1 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | Έρευνα |
 |
IL611-2E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP | Έρευνα |
|
IL610-2 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP | Έρευνα |
|
IL610A-1E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | Έρευνα |
|
IL610A-3 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
|
IL611-1E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | Έρευνα |
|
IL610-1E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | Έρευνα |
|
IL610-3E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
|
IL611-3 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
|
IL610A-2E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP | Έρευνα |
 |
IL610A-3E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
|
IL611-2 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP | Έρευνα |
|
IL610A-2 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP | Έρευνα |
|
IL610-3ETR7 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
|
IL610A-1 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | Έρευνα |
|
IL611-3ETR7 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
|
IL611-3E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU