Το IDY10S120XKSA1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IDY10S120XKSA1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IDY10S120XKSA1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IDY10S120XKSA1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IDY10S120XKSA1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IDY10S120XKSA1
- Κατασκευαστής:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO247HC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27234 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IDY10S120XKSA1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 5A (DC) |
| Τάσης - Ανάλυση: | PG-TO247HC-3 |
| Σειρά: | thinQ!™ |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | 250pF @ 1V, 1MHz |
| Πόλωση: | TO-247-3 Variant |
| Άλλα ονόματα: | IDY10S120 IDY10S120-ND SP000797646 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 0ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | IDY10S120XKSA1 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A (DC) Through Hole PG-TO247HC-3 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 120µA @ 1200V |
| Περιγραφή: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO247HC |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.8V @ 10A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IDY10S120XKSA1
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό