Το HB1635-2R5356-R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την HB1635-2R5356-R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το HB1635-2R5356-R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε HB1635-2R5356-R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
HB1635-2R5356-R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- HB1635-2R5356-R
- Κατασκευαστής:
- Bussmann (Eaton)
- Περιγραφή:
- CAP 35F -10% +30% 2.5V T/H
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22011 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- HB1635-2R5356-R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 2.5V |
| Ανοχή: | -10%, +30% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.650" Dia (16.50mm) |
| Σειρά: | PowerStor HB |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Αλλα ονόματα: | 283-3129 HB1635-2R5356R HB16352R5356R |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 70°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 1000 Hrs @ 70°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.295" (7.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.496" (38.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 30 mOhm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 35F (EDLC) Supercapacitor 2.5V Radial, Can 30 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C |
| χωρητικότητα: | 35F |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για HB1635-2R5356-R
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο