Το H4649RBCA είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την H4649RBCA, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το H4649RBCA μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε H4649RBCA με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
H4649RBCA
- Αριθμός εξαρτήματος:
- H4649RBCA
- Κατασκευαστής:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Περιγραφή:
- RES 649 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31743 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.H4649RBCA.pdf2.H4649RBCA.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάσης - Εργασίας: | 0.5W, 1/2W |
| Τάσης - Ανάλυση: | Axial |
| Πάχος (Max): | ±50ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
| Σειρά: | Holco, Holsworthy |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Πόλωση: | Axial |
| Άλλα ονόματα: | 7-1879678-6 7-1879678-6-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 155°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 15 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | H4649RBCA |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Pulse Withstanding |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 649 Ohm ±0.1% 0.5W, 1/2W Through Hole Resistor Axial Pulse Withstanding Metal Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±0.1% |
| Περιγραφή: | RES 649 OHM 1/2W 0.1% AXIAL |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Metal Film |
| εύρος ζώνης: | 649 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για H4649RBCA
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC