Το H11D1SR2VM είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την H11D1SR2VM, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το H11D1SR2VM μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε H11D1SR2VM με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
H11D1SR2VM
- Αριθμός εξαρτήματος:
- H11D1SR2VM
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42246 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- H11D1SR2VM.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - εξόδου (Max): | 300V |
| Τάσης - Απομόνωση: | 4170Vrms |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Τύπος): | 1.15V |
| VCE Κορεσμός (Max): | 400mV |
| Ενεργοποίηση / Απενεργοποίηση Ώρας (Τύπος): | 5µs, 5µs |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-SMD |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | - |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-SMD, Gull Wing |
| Τύπος εξόδου: | Transistor with Base |
| Αλλα ονόματα: | H11D1SR2VMCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 100°C |
| Αριθμός καναλιών: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 9 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | DC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD |
| Τρέχουσα Λόγος Μεταφορά (Min): | 20% @ 10mA |
| Τρέχουσα Λόγος Μεταφορά (Max): | - |
| Τρέχουσες - εξόδου / κανάλι: | 100mA |
| Τρέχουσα - Συνεχής ροή DC (Αν) (Μέγιστη): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για H11D1SR2VM
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα