Το GKR26/08 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την GKR26/08, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το GKR26/08 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε GKR26/08 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
GKR26/08
- Αριθμός εξαρτήματος:
- GKR26/08
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34004 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.GKR26/08.pdf2.GKR26/08.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 25A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-4 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Άλλα ονόματα: | GKR26/08GN GKR2608 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | GKR26/08 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 800V 25A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 4mA @ 800V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.55V @ 60A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 800V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -40°C ~ 180°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για GKR26/08
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
GKR71/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5 | Έρευνα |
 |
GKRP20066 | Sprague Goodman | CAP TRIMMER 5-20PF 25V SMD | Έρευνα |
|
GKR130/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205 | Έρευνα |
 |
GKRP10066 | Sprague Goodman | CAP TRIMMER 3-10PF 25V SMD | Έρευνα |
|
GKR71/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5 | Έρευνα |
|
GKR240/04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB | Έρευνα |
|
GKR130/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205 | Έρευνα |
|
GKR240/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205 | Έρευνα |
|
GKR26/04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 | Έρευνα |
 |
GKR26/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 | Έρευνα |
|
GKR26/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 | Έρευνα |
|
GKR240/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB | Έρευνα |
|
GKR240/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205 | Έρευνα |
|
GKR26/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4 | Έρευνα |
|
GKR71/04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 95A DO5 | Έρευνα |
|
GKR240/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 | Έρευνα |
 |
GKR240/18 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB | Έρευνα |
|
GKR71/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5 | Έρευνα |
 |
GKR130/18 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA | Έρευνα |
|
GKR71/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 95A DO5 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU