Το GI826-E3/54 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την GI826-E3/54, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το GI826-E3/54 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε GI826-E3/54 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
GI826-E3/54
- Αριθμός εξαρτήματος:
- GI826-E3/54
- Κατασκευαστής:
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 5A P600
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48275 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- GI826-E3/54.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 5A |
| Τάσης - Ανάλυση: | P600 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | 300pF @ 4V, 1MHz |
| Πόλωση: | P600, Axial |
| Άλλα ονόματα: | GI826-E3/54-ND GI826E354 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 200ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | GI826-E3/54 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 600V 5A Through Hole P600 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 10µA @ 600V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 600V 5A P600 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.1V @ 5A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 600V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -50°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για GI826-E3/54
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash