Το FR6G02 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FR6G02, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FR6G02 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FR6G02 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FR6G02
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FR6G02
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25374 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.FR6G02.pdf2.FR6G02.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 6A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-4 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Άλλα ονόματα: | FR6G02GN |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 200ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | FR6G02 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 400V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 25µA @ 50V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.4V @ 6A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 400V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FR6G02
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
FR6JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6B02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6DR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6DR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6B05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6J05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6GR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6D02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6AR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6G05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6J02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6KR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 | Έρευνα |
 |
FR6J-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GEN PURP 600V 6A DO214AB | Έρευνα |
|
FR6JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6AR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 | Έρευνα |
|
FR6BR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 | Έρευνα |
|
FR6K05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο