Το FR12GR05 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FR12GR05, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FR12GR05 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FR12GR05 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FR12GR05
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FR12GR05
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27826 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.FR12GR05.pdf2.FR12GR05.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard, Reverse Polarity |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 12A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-4 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Άλλα ονόματα: | FR12GR05GN |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 500ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | FR12GR05 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard, Reverse Polarity 400V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 25µA @ 100V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 800mV @ 12A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 400V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FR12GR05
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
FR12G05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 | Έρευνα |
 |
FR12MR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12D02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | Έρευνα |
 |
FR151G A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC | Έρευνα |
|
FR12JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12J05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12G02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 | Έρευνα |
 |
FR151-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GPP FAST 1.5A DO-15 | Έρευνα |
|
FR12DR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12K05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 | Έρευνα |
 |
FR12JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 | Έρευνα |
 |
FR12M05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12DR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12BR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12J02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12B05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 | Έρευνα |
|
FR12KR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών