Το DSI30-16AS-TUBE είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSI30-16AS-TUBE, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSI30-16AS-TUBE μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSI30-16AS-TUBE με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSI30-16AS-TUBE
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSI30-16AS-TUBE
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50438 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSI30-16AS-TUBE.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.29V @ 30A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-263AB (D²PAK) |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -40°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 1600V 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 40µA @ 1600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 30A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Αριθμός μέρους βάσης: | DSI30-16 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSI30-16AS-TUBE
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI45-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 45A TO247AD | Έρευνα |
 |
DSI30-12AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-12AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | Έρευνα |
 |
DSI75-08B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 110A DO203AB | Έρευνα |
|
DSI45-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD | Έρευνα |
|
DSI30-08AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | Έρευνα |
 |
DSI45-16AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.6KV 48A ISOPLUS247 | Έρευνα |
 |
DSI75-12B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 110A DO203 | Έρευνα |
|
DSI35-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB | Έρευνα |
 |
DSI30-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | Έρευνα |
|
DSI30-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | Έρευνα |
|
DSI35-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 49A DO203 | Έρευνα |
|
DSI30-08AC | IXYS Corporation | DIODE GP 800V 30A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
DSIK45-16AR | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 1600V 45A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
DSI30-08AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-16AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | Έρευνα |
|
DSI45-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD | Έρευνα |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών