Το DSI30-12AS είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSI30-12AS, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSI30-12AS μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSI30-12AS με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSI30-12AS
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSI30-12AS
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54449 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSI30-12AS.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 30A |
| Τάσης - Ανάλυση: | TO-263AB (D²PAK) |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Πόλωση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Άλλα ονόματα: | DSI30-12ASTR DSI3012AS |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | DSI30-12AS |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 40µA @ 1200V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.29V @ 30A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -40°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSI30-12AS
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI2X55-16A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.6KV 56A SOT227B | Έρευνα |
 |
DSI30-16AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-08AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | Έρευνα |
 |
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
DSI45-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD | Έρευνα |
|
DSI2X55-12A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 56A SOT227B | Έρευνα |
|
DSI45-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 45A TO247AD | Έρευνα |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | Έρευνα |
 |
DSI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | Έρευνα |
|
DSI30-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | Έρευνα |
|
DSI35-08A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB | Έρευνα |
|
DSI30-08AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | Έρευνα |
|
DSI30-08AC | IXYS Corporation | DIODE GP 800V 30A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
DSI17-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203 | Έρευνα |
|
DSI17-08A | IXYS | DIODE AVALANCHE 800V 25A DO203AA | Έρευνα |
|
DSI30-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | Έρευνα |
|
DSI45-16A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD | Έρευνα |
|
DSI35-12A | IXYS Corporation | DIODE AVALANCHE 1.2KV 49A DO203 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό