Το DS2227-100 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DS2227-100, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DS2227-100 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DS2227-100 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DS2227-100
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DS2227-100
- Κατασκευαστής:
- Maxim Integrated
- Περιγραφή:
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 72SIMM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 39213 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DS2227-100.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 100ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Τεχνολογία: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 72-SIMM |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 72-SIMM |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Socket |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | NVSRAM |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8) Parallel 100ns 72-SIMM |
| Αριθμός μέρους βάσης: | DS2227 |
| Χρόνος πρόσβασης: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DS2227-100
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DS2227-120 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4M PARALLEL 72SIMM | Έρευνα |
 |
DS2250-32-16+ | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
|
DS2250-64-16+ | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 64KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
|
DS2250T-32-16 | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
|
DS2250T-64-16 | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 64KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
|
DS2229-85 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 8M PARALLEL 80SIMM | Έρευνα |
|
DS2227-070 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4M PARALLEL 72SIMM | Έρευνα |
|
DS2250-64-16 | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 64KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
 |
DS21T07S/T&R | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI 16-SOIC | Έρευνα |
|
DS2250-32-16 | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
|
DS21T09S/T&R | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI P&P 28-SOIC | Έρευνα |
|
DS21T09S+ | Maxim Integrated | IC TERM PLUG/PLAY SCSI 28-SOIC | Έρευνα |
|
DS21T07S | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI 16-SOIC | Έρευνα |
|
DS21T07S+ | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI 16-SOIC | Έρευνα |
 |
DS21T07E+T&R | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI 20-TSSOP | Έρευνα |
|
DS2250-64-16# | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 64KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
|
DS21T07S+T&R | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI 16-SOIC | Έρευνα |
|
DS21T09S | Maxim Integrated | IC TERM PLUG/PLAY SCSI 28-SOIC | Έρευνα |
|
DS21T07E/T&R | Maxim Integrated | IC TERMINATOR SCSI 20-TSSOP | Έρευνα |
|
DS2250T-32-16+ | Maxim Integrated | IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40SIMM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών