Το DS1230Y-200+ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DS1230Y-200+, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DS1230Y-200+ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DS1230Y-200+ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DS1230Y-200+
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DS1230Y-200+
- Κατασκευαστής:
- Maxim Integrated
- Περιγραφή:
- IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47081 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DS1230Y-200+.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 200ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Τεχνολογία: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 28-EDIP |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 256Kb (32K x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | NVSRAM |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP |
| Αριθμός μέρους βάσης: | DS1230Y |
| Χρόνος πρόσβασης: | 200ns |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DS1230Y-200+
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-70 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-120+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-150+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-85+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-200IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-200 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-120 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
 |
DS1230WP-150+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP | Έρευνα |
|
DS1230Y-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-70IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-100+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-120IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-85 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-70IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230YP-100+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP | Έρευνα |
|
DS1230Y-120IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230YP-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP | Έρευνα |
|
DS1230Y-200IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
|
DS1230Y-150 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών