Το DRV5032FBDBZT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DRV5032FBDBZT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DRV5032FBDBZT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DRV5032FBDBZT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DRV5032FBDBZT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DRV5032FBDBZT
- Κατασκευαστής:
- TI
- Περιγραφή:
- SENSOR MAG SWTCH OMNI SOT-23-3
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54690 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DRV5032FBDBZT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Test Condition: | 25°C |
| Τεχνολογία: | Hall Effect |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-23-3 |
| Σειρά: | - |
| εμβέλεια: | ±3mT Trip, ±1.5mT Release |
| Πόλωση: | Either |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Τύπος εξόδου: | Push-Pull |
| Αλλα ονόματα: | 296-46624-1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λειτουργία: | Omnipolar Switch |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Digital Switch Omnipolar Switch Push-Pull Hall Effect SOT-23-3 |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 2.6mA |
| Τρέχουσες - εξόδου (Max): | 5mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DRV5032FBDBZT
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS