Το DR125-102-R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DR125-102-R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DR125-102-R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DR125-102-R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DR125-102-R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DR125-102-R
- Κατασκευαστής:
- Bussmann (Eaton)
- Περιγραφή:
- FIXED IND 1MH 570MA 1.69 OHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38291 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DR125-102-R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | DR |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 513-1745-2 DR125-102 DR125-102-ND DR125-102-R-ND DR125102R |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 100kHz |
| Επαγωγή: | 1mH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.236" (6.00mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1mH Shielded Wirewound Inductor 570mA 1.69 Ohm Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 1.69 Ohm |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 570mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 700mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DR125-102-R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DR124-R47-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470NH 16A 2.7 MOHM SMD | Έρευνα |
|
DR124-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 530MA 2.351 OHM | Έρευνα |
|
DR124-560-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 56UH 2A 173.2 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
DR125-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 3.7A 39.6 MOHM | Έρευνα |
|
DR124-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 1.7A 255.3 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1UH 15A 2.4 MOHM SMD | Έρευνα |
|
DR125-124-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 120MH 60MA 150 OHM SMD | Έρευνα |
|
DR124-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 5.6A 21.7 MOHM | Έρευνα |
|
DR124-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 1.8A 220 MOHM SMD | Έρευνα |
|
DR125-221-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 220UH 1.19A 384 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 4.27A 29.8 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-2R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 2.2UH 10.9A 4.5 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-151-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150UH 1.48A 248 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-101-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 100UH 1.78A 170 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-180-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 18UH 3.81A 37.7 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 5.35A 18.9 MOHM | Έρευνα |
|
DR124-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 5.2A 26 MOHM SMD | Έρευνα |
|
DR125-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 3.28A 50.5 MOHM | Έρευνα |
|
DR125-1R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.5UH 13.8A 2.9 MOHM | Έρευνα |
|
DR124-681-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 680UH 560MA 2.215 OHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;