Το DHG30IM600PC είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DHG30IM600PC, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DHG30IM600PC μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DHG30IM600PC με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DHG30IM600PC
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DHG30IM600PC
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO263
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49070 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DHG30IM600PC.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2.37V @ 30A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-263 (D²Pak) |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 35ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 30A Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 30A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DHG30IM600PC
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DHG40C600PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB | Έρευνα |
 |
DHG30I600PA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | Έρευνα |
 |
DHG30I600HA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | Έρευνα |
|
DHG20I1200PA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC | Έρευνα |
|
DHG60I600HA | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247 | Έρευνα |
|
DHG20C1200PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 10A TO220AB | Έρευνα |
|
DHG20C600PB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB | Έρευνα |
|
DHG20I1200HA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO247 | Έρευνα |
 |
DHG60I1200HA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | Έρευνα |
|
DHG20I600HA | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO247 | Έρευνα |
|
DHG40C600HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247AD | Έρευνα |
 |
DHG20C600QB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P | Έρευνα |
|
DHG60C600HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD | Έρευνα |
|
DHG30I1200HA | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Έρευνα |
|
DHG40C1200HB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 20A TO247AD | Έρευνα |
|
DHG5I600PA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | Έρευνα |
 |
DHG5I600PM | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP | Έρευνα |
 |
DHG50X600NA | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 50A SOT227B | Έρευνα |
|
DHG20I600PA | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC | Έρευνα |
|
DHG50X1200NA | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών