Το DBJ-5R5D105T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DBJ-5R5D105T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DBJ-5R5D105T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DBJ-5R5D105T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DBJ-5R5D105T
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DBJ-5R5D105T
- Κατασκευαστής:
- Elna America
- Περιγραφή:
- CAP 1F -20% +80% 5.5V T/H
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34276 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DBJ-5R5D105T.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 5.5V |
| Ανοχή: | -20%, +80% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.846" Dia (21.50mm) |
| Σειρά: | DBJ |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Αλλα ονόματα: | 604-1166 DBJ-5R5D105T-ND DBJ5R5D105T |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -10°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.197" (5.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.315" (8.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 75 Ohm @ 1kHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1F (EDLC) Supercapacitor 5.5V Radial, Can 75 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 85°C |
| χωρητικότητα: | 1F |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DBJ-5R5D105T
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
EEC-RG0V105VA | Panasonic | CAP 1F -20% +80% 3.6V T/H | Έρευνα |
 |
DS-2R5H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 2.5V SMD | Έρευνα |
 |
FC0H104ZFTBR24 | KEMET | CAP 100MF -20% +80% 5.5V SMD | Έρευνα |
 |
127DCR2R3SLZ | Illinois Capacitor | CAP 120F -20%, +50% 2.3V T/H | Έρευνα |
 |
DBJ-5R5D473T | Elna America | CAP 47MF -20% +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
|
DBJ-5R5D104T | Elna America | CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
 |
DBJ-5R5D474T | Elna America | CAP 470MF -20% +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
|
FC0H224ZFTBR24 | KEMET | CAP 220MF -20% +80% 5.5V SMD | Έρευνα |
 |
EDLSD223H5R5C | Cornell Dubilier Electronics | CAP 22MF 5.5V THROUGH HOLE | Έρευνα |
 |
FE0H104ZF | KEMET | CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
 |
B49410B2126Q000 | EPCOS | CAP 1200F -10% +30% 2.5V CHAS MT | Έρευνα |
 |
SCMS32H505MRBB0 | AVX Corporation | CAPACITOR 5F 20% 6V THRU HOLE | Έρευνα |
|
DBJ-5R5D334T | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
 |
BCAP0050 P270 X01 | Maxwell Technologies, Inc. | CAP SUPER 50F 2.7V WIRE LEAD XP | Έρευνα |
 |
B1835-2R5336 | Bussmann (Eaton) | CAP 33F -20% +80% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
DBJ-5R5D224T | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H | Έρευνα |
|
226DER2R5SKV | Illinois Capacitor | CAP 22F -20%, +50% 2.5V T/H | Έρευνα |
 |
CDLC351K2R7SR | Cornell Dubilier Electronics | CAP 350F -5% +10% 2.7V T/H | Έρευνα |
 |
XH311HG-IV07E | Seiko Instruments, Inc. | CAP 20MF 3.3V SURFACE MOUNT | Έρευνα |
 |
JJL0E268MSEGBB | Nichicon | CAP 2600F 2.5V 20% CHASSIS MOUNT | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο