Το CDBDSC5650-G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CDBDSC5650-G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CDBDSC5650-G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CDBDSC5650-G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CDBDSC5650-G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CDBDSC5650-G
- Κατασκευαστής:
- Comchip Technology
- Περιγραφή:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 39264 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CDBDSC5650-G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.7V @ 5A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 650V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D-PAK (TO-252) |
| Ταχύτητα: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 0ns |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Αλλα ονόματα: | 641-1931 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Silicon Carbide Schottky |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 21.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100µA @ 650V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 21.5A (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 424pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CDBDSC5650-G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CDBER0140L-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBER00340-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBER0130R-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0503 | Έρευνα |
 |
CDBDSC8650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Έρευνα |
|
CDBER00340 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBD640-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 6A DPAK | Έρευνα |
|
CDBER0130R | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBER0130L | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBER0130L-HF | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBER0140R | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBD2080-HF | Comchip Technology | DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK | Έρευνα |
|
CDBDSC3650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Έρευνα |
 |
CDBD2SC21200-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Έρευνα |
|
CDBER0140L | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0503 | Έρευνα |
|
CDBD8100-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263 | Έρευνα |
|
CDBD6100-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 100V 6A DPAK | Έρευνα |
|
CDBDSC10650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Έρευνα |
|
CDBDSC51200-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Έρευνα |
|
CDBD660-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 60V 6A DPAK | Έρευνα |
|
CDBD8060-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO263 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα