Το C1825C104M1RACTU είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την C1825C104M1RACTU, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το C1825C104M1RACTU μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε C1825C104M1RACTU με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
C1825C104M1RACTU
- Αριθμός εξαρτήματος:
- C1825C104M1RACTU
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP CER 0.1UF 100V X7R 1825
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52011 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- C1825C104M1RACTU.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάση - Ονομαστική: | 100V |
| Ανοχή: | 0.1µF |
| Πάχος (Max): | X7R |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.177" L x 0.252" W (4.50mm x 6.40mm) |
| Σειρά: | C |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ρεύμα ρεύματος - Χαμηλή συχνότητα: | General Purpose |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | 1825 (4564 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | C1825C104M1RAC C1825C104M1RAC7800 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 21 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | C1825C104M1RACTU |
| μόλυβδος Style: | 0.049" (1.25mm) |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 0.1µF ±20% 100V Ceramic Capacitor X7R 1825 (4564 Metric) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±20% |
| Περιγραφή: | CAP CER 0.1UF 100V X7R 1825 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για C1825C104M1RACTU
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
C1825C105M5UACTU | KEMET | CAP CER 1UF 50V Z5U 1825 | Έρευνα |
|
C1825C103M2GACTU | KEMET | CAP CER 10000PF 200V NP0 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105Z5UACTU | KEMET | CAP CER 1UF 50V Z5U 1825 | Έρευνα |
 |
C1825C105K5RALTU | KEMET | CAP CER 1UF 50V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104KBRAC7800 | KEMET | CAP CER 0.1UF 630V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104K1RALTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 100V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105K2RAC7800 | KEMET | CAP CER 1UF 200V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105KARACTU | KEMET | CAP CER 1UF 250V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104K5RACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 50V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105J5RACTU | KEMET | CAP CER 1UF 50V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104KCRACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 500V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105M5RACTU | KEMET | CAP CER 1UF 50V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104K1RACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 100V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105K5RACTU | KEMET | CAP CER 1UF 50V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104KDRACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 1KV X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104K2RACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 200V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104JCRACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 500V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C103MFRACTU | KEMET | CAP CER 10000PF 1.5KV X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C105JARACTU | KEMET | CAP CER 1UF 250V X7R 1825 | Έρευνα |
|
C1825C104M2RACTU | KEMET | CAP CER 0.1UF 200V X7R 1825 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική