Το BUK7K5R1-30E,115 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BUK7K5R1-30E,115, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BUK7K5R1-30E,115 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BUK7K5R1-30E,115 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BUK7K5R1-30E,115
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BUK7K5R1-30E,115
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41844 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BUK7K5R1-30E,115.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | LFPAK56D |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.1 mOhm @ 10A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 68W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-7266-2 568-9896-2 568-9896-2-ND 934066988115 BUK7K5R130E115 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2352pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 31.1nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 40A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BUK7K5R1-30E,115
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7K29-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56 | Έρευνα |
|
BUK7K25-40E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D | Έρευνα |
|
BUK7K5R6-30E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D | Έρευνα |
|
BUK7K17-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK | Έρευνα |
 |
BUK7L11-34ARC,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB | Έρευνα |
|
BUK7K6R2-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK | Έρευνα |
|
BUK7K8R7-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK | Έρευνα |
 |
BUK7M12-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | Έρευνα |
 |
BUK7K6R2-40E/CX | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 56LFPAK | Έρευνα |
|
BUK7K18-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK7K32-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56 | Έρευνα |
|
BUK7K6R8-40E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D | Έρευνα |
 |
BUK7K23-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D | Έρευνα |
|
BUK7M10-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | Έρευνα |
|
BUK7K17-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D | Έρευνα |
|
BUK7K52-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK | Έρευνα |
|
BUK7K45-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56 | Έρευνα |
|
BUK7K35-60EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK | Έρευνα |
|
BUK7K89-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56 | Έρευνα |
|
BUK7L06-34ARC,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών