Το BAV21_T26A είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BAV21_T26A, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BAV21_T26A μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BAV21_T26A με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BAV21_T26A
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAV21_T26A
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40680 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BAV21_T26A.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.25V @ 200mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 250V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-35 |
| Ταχύτητα: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 175°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 250V 200mA Through Hole DO-35 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100nA @ 200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 200mA |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BAV21 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BAV21_T26A
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο