Το B43510A3108M80 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B43510A3108M80, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B43510A3108M80 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B43510A3108M80 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B43510A3108M80
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B43510A3108M80
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 1000UF 20% 385V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44201 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B43510A3108M80.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 385V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| Σειρά: | B43510 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 4.82A @ 100Hz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Snap-In - 4 Lead |
| Αλλα ονόματα: | B43510A3108M080 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ισόβια @ Temp.: | 5000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.886" (22.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 85 mOhms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 2.843" (72.20mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 70 mOhm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1000µF 385V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 70 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C |
| χωρητικότητα: | 1000µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B43510A3108M80
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B43510A3128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A108M80 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A128M87 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A0827M007 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3188M000 | EPCOS | CAP ALUM 1800UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A158M87 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3158M80 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3128M007 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3158M007 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3128M87 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3128M80 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A188M80 | EPCOS | CAP ALUM 1800UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3108M87 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3158M000 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A158M80 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A128M80 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3108M007 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A188M87 | EPCOS | CAP ALUM 1800UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3108M000 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
|
B43510A3158M87 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 385V SNAP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο