Το APTGLQ75H120T3G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTGLQ75H120T3G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTGLQ75H120T3G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTGLQ75H120T3G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTGLQ75H120T3G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTGLQ75H120T3G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46284 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTGLQ75H120T3G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 75A |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP1 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 385W |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC θερμίστορ: | Yes |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce: | 4.4nF @ 25V |
| Εισαγωγή: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Trench Field Stop |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 130A 385W Through Hole SP1 |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 50µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 130A |
| Διαμόρφωση: | Full Bridge |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTGLQ75H120T3G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT100A602G | Microsemi | MOD IGBT 600V 150A SP2 | Έρευνα |
|
APTGLQ50VDA65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
|
APTGT100A1202G | Microsemi | MOD IGBT 1200V 140A SP2 | Έρευνα |
|
APTGLQ80HR120CT3G | Microsemi | PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F | Έρευνα |
|
APTGLQ50TL65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
|
APTGLQ50H65T1G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
|
APTGT100A170D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | Έρευνα |
 |
APTGT100A120D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | Έρευνα |
|
APTGLQ40DDA120CT3G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 | Έρευνα |
|
APTGLQ40HR120CT3G | Microsemi | PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F | Έρευνα |
|
APTGLQ75H65T1G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 | Έρευνα |
|
APTGLQ600A65T6G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 | Έρευνα |
|
APTGLQ50H65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
|
APTGLQ50DDA65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
 |
APTGT100A170TG | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 | Έρευνα |
|
APTGT100A120TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 | Έρευνα |
|
APTGLQ40H120T1G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 | Έρευνα |
|
APTGLQ75H120TG | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
|
APTGT100A120T3AG | Microsemi | MOD IGBT 1200V 140A SP3 | Έρευνα |
 |
APTGLQ400A120T6G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών