Το APT20M22LVRG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT20M22LVRG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT20M22LVRG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT20M22LVRG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT20M22LVRG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT20M22LVRG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32225 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT20M22LVRG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-264 [L] |
| Σειρά: | POWER MOS V® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 520W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-264-3, TO-264AA |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 25 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 10200pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 435nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 200V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT20M22LVRG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Έρευνα |
 |
APT20M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT20N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 | Έρευνα |
|
APT20M120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Έρευνα |
|
APT20M22JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Έρευνα |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Έρευνα |
 |
APT20M22LVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 | Έρευνα |
 |
APT20M38SVRG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Έρευνα |
|
APT20N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK | Έρευνα |
|
APT20M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT20SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A | Έρευνα |
|
APT20M38BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Έρευνα |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Έρευνα |
|
APT20M45BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | Έρευνα |
|
APT20M120JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 | Έρευνα |
|
APT20M45BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | Έρευνα |
|
APT20M22B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Έρευνα |
|
APT20M11JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;